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 三维磁控溅射技术是一种赉晟科技研发团队自主研发的磁控溅射方法。和传统平面磁控溅射方法不同,三维磁控溅射技术的溅射过程在管状磁控溅射源的管腔内部完成。放电过程兼具平面磁控溅射放电(三维磁控溅射技术是赉晟科技研发团队自主研发的一种新型磁控溅射方法。和传统平面磁控溅射方法不同,三维磁控溅射技术的溅射过程在管状磁控溅射源的管腔内部完成。放电过程兼具平面磁控溅射放电(Magnetron Sputtering, MS)和空心阴极放电(Hollow Cathode Discharge, HCD)的特点,因此具有等离子体密度高,沉积速率快等特点。由于独特的靶源磁场设计和管状结构特点,本技术的靶材利用率最高可达75%,尤其适用于昂贵铽、镝镀层的溅射制备。